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供应原装2SK2101

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市新源江贸易有限公司

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配置:Single

 

 

晶体管*性:N-Channel
电阻汲*/源* RDS（导通）:1.4 Ohms

 

 

汲*/源*击穿电压:900 V
闸/源击穿电压:+/- 30 V

 

 

漏*连续电流:8 A
功率耗散:85 W

 

 

*大工作温度:+ 150 C
安装风格:Through Hole

 

 

封装 / 箱体:TO-*(N)IS
封装:Bulk

 

 

*小工作温度:- 55 C
"
品牌/商标

FUJI/富士通

型号/规格

2SK2101

种类

结型(JFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

WAFER/裸芯片

材料

GE-P-FET锗P沟道