供应原装IRFD9110 场效应管
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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现货批发原装*IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购
产品种类: | MOSFET 小信号 |
RoHS: | 详细信息 |
配置: | Single Dual Drain |
晶体管*性: | P-Channel |
汲*/源*击穿电压: | 100 V |
闸/源击穿电压: | +/- 20 V |
漏*连续电流: | 0.7 A |
功率耗散: | 1300 mW |
*大工作温度: | + 175 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | HexDIP-4 |
封装: | Tube |
*小工作温度: | - 55 C |
IR/国际整流器
IRFD9110
结型(JFET)
N沟道
增强型
HF/高频(射频)放大
WAFER/裸芯片
GE-N-FET锗N沟道