RV 6A 92封装场效应MOS管

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市炜杰电子科技有限公司

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R610功率NMOS

R610是用*新技术设计制造的NMOS管,它具有低导通电阻和低栅电容的优点,具有很高的*性,广泛用于各种电源领域。

 

VDS= 100V,ID= 6A

RDS(ON)< 140mΩ @ VGS=10V (T*:110mΩ)

 

高密度单元设计制造技术*了低Rdson





品牌

wj

型号

R610

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

CC/恒流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

0.1(V)

夹断电压

0.1(V)

跨导

0.1(μS)

*间电容

0.1(pF)

低频噪声系数

0.1(dB)

漏*电流

0.1(mA)

耗散功率

0.1(mW)