东芝代理供应3SK291

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结型场效应管 上海嘉豪电子有限公司

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型号: 3SK291产品分类名: 晶体管/高频小信号FET(场效应管)/高频MOSFET
  
 
部件型号3SK291 
*性N沟 
漏源电压VDSS12.5 V 
漏*电流ID30 mA 
漏*电流IDSS, max0.1 mA 
漏功耗PD150 mW 
正向传输导纳|Yfs|, t*26 mS 
封装SMQ(2.9 x 2.9) 
管脚数4 
表面安装型Y 
用途TV VHF高频放大 
产品分类高频MOSFET 
RoHS Compatible Product(s) (#)Available
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

3SK291

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

AM/调幅

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

12(V)

夹断电压

22(V)

跨导

1(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

23(dB)

漏*电流

23(mA)

耗散功率

23(mW)