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现货供应BAR18LT1G

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌

0N/安森美

型号

BAR18LT1G

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

P-FET硅P沟道

开启电压

.（V）

夹断电压

.（V）

跨导

.（μS）

*间电容

.（pF）

低频噪声系数

.（dB）

漏*电流

.（mA）

耗散功率

.（mW）