供应场效应管4N90
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"IR/*童/INFINEON
4N90
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
900（V）
900（V）
24（μS）
500（pF）
24（dB）
500（mA）
600（mW）
