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现货飞兆FQP4N90C

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 飞兆 Fairchild*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:MOSFETs 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Product:General Purpose MOSFETs 
Configuration:Single 
Package / Case:TO-220 
Transistor Polarity:N-Channel 
Drain-Source Breakdown Voltage:900 V 
Continuous Drain Current:4 A 
Power Dissipation:140000 mW 
Forward Transconductance gFS (Max / Min):5 S 
Resistance Drain-Source RDS (on):4.2 Ohm @ 10 V 
T*ical Fall Time:35 ns 
T*ical Rise Time:50 ns 
T*ical Turn-Off Delay Time:40 ns 
Packaging:Tube 
Gate-Source Breakdown Voltage: /- 30 V 
Maximum Operating Temperature:150 C 
Minimum Operating Temperature:- 55 C 
T*e:MOSFET

 

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品牌

*童 飞兆 Fairchild FSC

型号

FQP4N90C

种类

结型(JFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

900（V）

夹断电压

900（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）