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***童HGTG5N120BND

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

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*童 MOS IGBT 场效应管

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Transistors 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Package / Case:TO-247 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:1200 V 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:1200 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:2.45 V 
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V 
Continuous Collector Current Ic Max:21 A 
Gate-Emitter Leakage Current:+/- 250 nA 
Power Dissipation:167 W 
Packaging:Tube 
Configuration:Single

 

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品牌

FAIRCHILD/*童

型号

HGTG5N120BND

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

VID/视频

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）