产品详情

**HGTP7N60A4

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市飞捷士科技有限公司

普通会员

全部产品 进入商铺

*童 飞兆 Fairchild*代理

Manufacturer:Fairchild Semiconductor 
Product Category:IGBT Transistors 
RoHS:RoHS Compliant Details 
Package / Case:TO-220AB 
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:600 V 
Collector-Emitter Breakdown Voltage:600 V 
Collector-Emitter Saturation Voltage:1.9 V 
Maximum Gate Emitter Voltage:20 V 
Continuous Collector Current Ic Max:34 A 
Gate-Emitter Leakage Current:+/- 250 nA 
Power Dissipation:125 W 
Packaging:Tube 
Configuration:Single 
"
品牌

*童 飞兆 Fairchild FSC

型号

HGTP7N60A4

种类

结型(JFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

低频跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）