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产品属性
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.38 Ohms
正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 9.7 S
汲*/源*击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏*连续电流: 11 A
功率耗散: 125 W
*大工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
长期供应场效应管 MOS管 欢迎新老客户咨询 QQ
CER-DIP/陶瓷直插
11N60
ALGaAS铝镓砷
MOS-HBM/半桥组件
FAIRCHILD/*童
N沟道
结型(JFET)
耗尽型