*童场效应管 11N60 原装 质量* 请咨询

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  N-Channel   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  0.38 Ohms   
 
正向跨导 gFS(*大值/*小值) :  9.7 S   
 
汲*/源*击穿电压:  600 V   
 
闸/源击穿电压:  /- 30 V   
 
漏*连续电流:  11 A   
 
功率耗散:  125 W   
 
*大工作温度:  150 C   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-220AB   
 
封装:  Tube   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
Standard Pack Qty:  50  
 
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封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

11N60

材料

ALGaAS铝镓砷

用途

MOS-HBM/半桥组件

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型