IR场效应管 GP50B60PD1 IRGP50B60PD1 墨西哥产地 *原装

地区:广东 深圳
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IR*原装场效应管 GP50B60PD1  IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1PBF墨西哥产地

 

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 GP50B60PD1  IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1PBF产品规格  参数

 

数据列表 IRGP50B60PD1PbF
 
产品相片 TO-247-3
 
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC
 
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 NPT
 
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 600V
 
Vge, Ic时的*大Vce(开) 2.85V @ 15V, 50A
 
电流 - 集电* (Ic)(*大) 75A
 
功率 - *大 390W
 
输入类型 标准型
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247AC
 
包装 散装
 
产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRGP50B60PD1PBF
 
 

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

GP50B60PD1 IRGP50B60PD1

材料

*肖特基势垒栅

用途

MW/微波

品牌/商标

IR/国际整流器

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型