【INFINEON英飞凌原装*场效应管】BSC030N03LSG BSC032N03SG

地区:广东 深圳
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BSC032N03SG产品规格  参数  PDF

 

Datasheets BSC032N03S G
Product Photos BSC032N03SG
Catalog Drawings Mosfets SUPERSO8
Standard Package 5,000
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series OptiMOS™
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 100A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 70µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 39nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5080pF @ 15V
Power - Max 78W
Mounting T*e Surface Mount
Package / Case 8-PowerTDFN
Supplier Device Package PG-TDSON-8 (5.15x6.15)
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSC032N03SGINTR
BSC032N03SGXT
BSC032N03SGXTINTR
BSC032N03SGXTINTR-ND
SP

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

型号/规格

BSC030N03LSG BSC032N03SG

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SIT静电感应