IXYS*原装*场效应管IXTQ80N28T

地区:广东 深圳
认证:

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IXYS*原装*场效应管IXTQ80N28T

 

IXYS*原装*场效应管IXTQ80N28T

 

IXTQ80N28T产品规格  参数  PDF

 

Datasheets IXTQ80N28T
Standard Package 30
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 280V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 49 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 115nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5000pF @ 25V
Power - Max 500W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-*-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-*
Packaging Tube

品牌

IXY美国电报半导体

型号

IXTQ80N28T

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)