【专营场效应管系列】IRF1405 IRF1405PBF 原装/拆机场效应

【专营场效应管系列】IRF1405  IRF1405PBF 原装墨西哥产地

【专营场效应管系列】IRF1405  IRF1405PBF 原装墨西哥产地

IRF1405  IRF1405PBF产品规格  参数

Datasheets IRF1405PbF
Product Photos TO-220AB PKG
Catalog Drawings IR Hexfet TO-220AB
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 169A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 260nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5480pF @ 25V
Power - Max 330W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1297 (US2011 Interactive)
1297 (US2011 PDF)
Other Names *IRF1405PBF