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产品属性
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产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 8 m Ohms
正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 44 S
汲*/源*击穿电压: 55 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流: 98 A
功率耗散: 200 W
*大工作温度: 175 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
*小工作温度: - 55 C
代理IR场效应管 IRF3205PBF *原装 中国/菲律宾产地
代理IR场效应管 IRF3205PBF *原装 中国/菲律宾产地
IR/国际整流器
IRF3205PBF
结型(JFET)
N沟道
增强型
MOS-HBM/半桥组件
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)