IR**场效应管 IRFBG30PBF IRFBG30*

制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
晶体管*性:N-Channel
汲*/源*击穿电压:1000 V
闸/源击穿电压: /- 20 V
漏*连续电流:3.1 A
电阻汲*/源* RDS（导通）:5 Ohms
配置:Single
*大工作温度:  150 C
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-220AB
封装:Tube
下降时间:20 ns
*小工作温度:- 55 C
功率耗散:125 W
上升时间:25 ns
工厂包装数量:1000
典型关闭延迟时间:89 ns