FSC*童场效应管 FQP47P06 *原装/拆机场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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FSC*童场效应管 FQP47P06 *原装/拆机散新场效应管

 

FSC*童场效应管 FQP47P06 *原装/拆机散新场效应管

FQP47P06产品规格  参数  PDF

 

Datasheets FQP47P06
Product Photos TO-220-3, TO-220AB
Product Training Modules High Voltage Switches for Power Processing
Catalog Drawings MOSFET TO-220F
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series QFET™
FET T*e MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 47A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 26 mOhm @ 23.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3600pF @ 25V
Power - Max 160W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220
Packaging Tube
Catalog Page 1387 (US2011 PDF)

 

 

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封装外形

TO-220-3

型号/规格

FQP47P06

材料

ALGaAS铝镓砷

用途

A/宽频带放大

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型