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产品属性
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 2.3 Ohm @ 10 V
正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 5.5 S
汲*/源*击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: /- 30 V
漏*连续电流: 6 A
功率耗散: 167000 mW
*大工作温度: 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
Standard Pack Qty: 50
*件号别名: FQP6N90C_NL
FAIRCHILD/*童
FQP6N90C
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
33(V)
33(V)
33(μS)
33(pF)
33(dB)
33(mA)
33(mW)