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【ST*原装场效应管】STP80NF12 P80NF12
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STP80NF12 P80NF12产品规格 参数
数据列表 STP80NF12
产品相片 TO-220 Pkg
产品目录绘图 ST Series TO-220
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 STripFET™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
漏*至源*电压(Vdss) 120V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 80A
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 18 毫欧 @ 40A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(*大) 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 189nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 4300pF @ 25V
功率 - *大 300W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商设备封装 TO-220AB
包装 管件
产品目录页面 1540 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 497-6743-5
STP80NF12-ND
ST/意法
STP80NF12 P80NF12
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)