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产品属性
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
Product T*e: MOSFET Power
配置: Single
晶体管*性: P-Channel
封装 / 箱体: TO-252
电阻汲*/源* RDS(导通): 0.028 Ohm @ 4.5 V
汲*/源*击穿电压: - 12 V
闸/源击穿电压: + /- 8 V
漏*连续电流: 6.7 A
功率耗散: 52 W
*大工作温度: + 175 C
封装: Reel
*小工作温度: - 55 C
Part # Aliases: FDD306PNL
FAIRCHILD/*童
FDD306P
结型(JFET)
N沟道
增强型
S/开关
CHIP/小型片状
N-FET硅N沟道
原厂规格(V)
原厂规格(V)
原厂规格(μS)
原厂规格(pF)
原厂规格(dB)
原厂规格(mA)
原厂规格(mW)