现货供应*童场效应管FDD306P

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  MOSFET   
 
RoHS:   详细信息  
 
Product T*e:  MOSFET Power   
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  P-Channel   
 
封装 / 箱体:  TO-252   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  0.028 Ohm @ 4.5 V   
 
汲*/源*击穿电压:  - 12 V   
 
闸/源击穿电压:  + /- 8 V   
 
漏*连续电流:  6.7 A   
 
功率耗散:  52 W   
 
*大工作温度:  + 175 C   
 
封装:  Reel   
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
Part # Aliases:  FDD306PNL  
 

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FDD306P

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

原厂规格(V)

夹断电压

原厂规格(V)

低频跨导

原厂规格(μS)

*间电容

原厂规格(pF)

低频噪声系数

原厂规格(dB)

漏*电流

原厂规格(mA)

耗散功率

原厂规格(mW)