MEXICO墨西哥*原装场效应集成IC G4PC50W IRG4PC50WPBF

地区:广东 深圳
认证:

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MEXICO墨西哥*原装场效应集成IC G4PC50W  IRG4PC50WPBF

 

MEXICO墨西哥*原装场效应集成IC G4PC50W  IRG4PC50WPBF

 

G4PC50W  IRG4PC50WPBF产品规格  参数

 

 

数据列表 IRGP35B60PDPbF
 
产品相片 TO-247-3
 
产品目录绘图 IRG Series Circuit
IR Transistor TO-247AC
 
标准包装 25
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 -
IGBT 类型 NPT
 
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 600V
 
Vge, Ic时的*大Vce(开) 2.55V @ 15V, 35A
 
电流 - 集电* (Ic)(*大) 60A
 
功率 - *大 308W
 
输入类型 标准型
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247AC
 
包装 散装
 
产品目录页面 1517 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 *IRGP35B60PDPBF
 

"
品牌

IR/国际整流器

型号

G4PC50W IRG4PC50WPBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

P-FET硅P沟道

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)