产品详情

IR 原装功率MOS——IRLU120N

地区：上海
认证： 无

结型场效应管 上海贝臣电子有限公司

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 •导通电阻：RDS(on) max=185mΩ

 •工作温度范围：-55 ~ 175°C

 •封装形式：TO-251

 •VDS=100V

 •ID=10A

 •Trr=160ns

 

 

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRLU120N

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

开启电压

2（V）

跨导

3100（μS）

*间电容

440（pF）

漏*电流

10000（mA）

耗散功率

48000（mW）