新到货 IRFB3507PBF IRFB3507 FB3507 TO-220AB封装原装现货

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称

IRFB3507, IRFS(L)3507

TO-220AB Pkg

IR Hexfet TO-220AB

50

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

8.8 毫欧 @ 58A, 10V

75V

4V @ 100µA

130nC @ 10V

97A

3540pF @ 50V

190W

通孔

TO-220-3 (直引线)

管件

TO-220AB

1372 (CN091-10 PDF)

*IRFB3507PBF

品牌

InterFET美国

型号

IRFB3507PBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

CC/恒流

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

250（V）

夹断电压

120（V）

跨导

10（μS）

*间电容

52（pF）

低频噪声系数

52（dB）

漏*电流

1200（mA）

耗散功率

2560（mW）

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