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2SK4108 K4108 *原装东芝公司20A 500V TO-*

地区：广东 深圳
认证： 无

结型场效应管 深圳市长亮源科技有限公司

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規格書標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
2SK4108
50
離散半導體產品
FET - 單路
-
MOSFET N通道，金屬氧化物
標準
270 毫歐姆 @ 10A, 10V
500V
20A
4V @ 1mA
70nC @ 10V
3400pF @ 25V
150W
通孔
TO-*-3, SC-65-3
TO-*(N)
管裝規格書標準包裝類別家庭系列FET型FET特點開態Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏極至源極的電壓(Vdss)電流 - 連續漏極(Id) @ 25° CId時的Vgs(th)（*大值）閘電流(Qg) @ VgsVds時的輸入電容(Ciss)功率 - *大安裝類型封裝/外殼供應商設備封裝封裝
2SK4108
50
離散半導體產品
FET - 單路
-
MOSFET N通道，金屬氧化物
標準
270 毫歐姆 @ 10A, 10V
500V
20A
4V @ 1mA
70nC @ 10V
3400pF @ 25V
150W
通孔
TO-*-3, SC-65-3
TO-*(N)
管裝
品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK4108

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

C-MIC/电容话筒*

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

500（V）

夹断电压

500（V）

跨导

10（μS）

*间电容

10（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

20000（mA）

耗散功率

3000（mW）