供应 IC 芯片IRLML6302TR原装*

类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
 
FET 特点 逻辑电平门
 
漏*至源*电压(Vdss) 20V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 780mA
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 600 毫欧 @ 610mA, 4.5V
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 1.5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 3.6nC @ 4.5V
 
输入电容 (Ciss) @ Vds 97pF @ 15V
 
功率 - *大 540mW
 
安装类型 表面贴装
 
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
 
供应商设备封装 Micro3™/SOT-23
 
包装 带卷 (TR)
 
其它名称 IRLML6302GTRPBF-ND
IRLML6302GTRPBFTR