TSF2N60

特点

■2.0A，600V，Rds(on) =5.5ΩVGS= 10V

■栅*电荷（典型的15nC）

■高耐用性

■快速开关

■100％雪崩测试

■改进的dv / dt的能力

概述

这款功率MOSFET采用了Truesemi*的DMOS生产工艺.这项技术旨在*大限度地减少通态电阻，具有较高的坚固的雪崩特性，如快速开关时间，低栅*电荷，通常用于在AC功率MOSFET适配器，电池充电器和SMPS.

深圳市和芯电子有限公司为Truesemi(韩国信安)深圳地区一级代理商，授权代理信*系列产品。常备现货，交期在1-2天，欢迎选购。