场效应管 STB70NF03L / STB70NF03LT4 / 70N03

地区:广东 深圳
认证:

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STB70NF03L中文资料:

制造商

STMicroelectronics

制造商*件编号

STB70NF03LT4

描述

MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

STripFET™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

逻辑电平门

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

9.5毫欧@35A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

30V

电流-连续漏*(Id) @ 25° C

70A

Id时的Vgs(th)(*大)

1V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

30nC @ 5V

Vds时的输入电容(Ciss)

1440pF @ 25V

功率-*大

100W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷(TR)

 


公司照片:









 

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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STB70NF03L

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

1(V)

*间电容

1440(pF)

漏*电流

70,000(mA)

耗散功率

100,000(mW)