场效应管 FDD120AN15A0 / FDD120AN15 / 120N15 / D120AN15

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区丰尔电子商行

普通会员

全部产品 进入商铺

FDD120AN15A0中文资料:

 

制造商

Fairchild Semiconductor

制造商*件编号

FDD120AN15A0

描述

MOSFET N-CH 150V14AD-PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

PowerTrench®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

120毫欧@4A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

150V

电流-连续漏*(Id) @ 25° C

14A

Id时的Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA 

闸电荷(Qg) @ Vgs

14.5nC @ 10V

Vds时的输入电容(Ciss)

770pF @ 25V

功率-*大

65W

安装类型

表面贴装 

封装/外壳

TO-252-3, DPak (2引线 接片), SC-63

供应商设备封装

TO-252AA

包装

带卷(TR)


公司照片:








备注:

1、如果您对该产品的价格、厂家、型号、图片有什么疑问,请联系我们获取该产品的*新信息。

2、产品繁多,未能一一上传,欢迎与我们联系咨询。

 

 

FDD120AN15A0订购及咨询:

深圳市丰尔电子有限公司

:(7线)

商务

MSN: jason-yufo@hotmail.com

E-mail

手机: 13590258862 / 13531791171

更多详情请登录我们的网站:https://www.yufo-ic.cn/

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FDD120AN15A0 150V 14A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

*间电容

250(pF)

漏*电流

14,000(mA)

耗散功率

65,000(mW)