场效应管 IRF2907ZSTRLPBF / IRF2907ZS / F2907Z

地区:广东 深圳
认证:

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IRF2907ZSTRLPBF中文资料:

制造商

International Rectifier

制造商*件编号

IRF2907ZSTRLPBF

描述

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -单路

系列

HEXFET®

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

4.5毫欧 @ 75A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

75V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

160A

Id时的 Vgs(th)(*大)

4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

270nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

7500pF @ 25V

功率 - *大

300W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2引线 接片), TO-263AB

供应商设备封装

D2PAK

包装

带卷 (TR)

 

公司照片:











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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF2907ZSTRLPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

4(V)

*间电容

7500(pF)

漏*电流

160,000(mA)

耗散功率

300,000(mW)