SI4800BDY-T1-E3

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 类型FET 功能漏源*电压 (Vdss)电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)功率 - *大值安装类型封装/外壳供应商器件封装包装产品目录页面其它名称

SI4800BDY

8-SOIC

2,500

分立半导体产品

FET - 单

TrenchFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

30V

6.5A

18.5 毫欧 @ 9A，10V

1.8V @ 250µA

13nC @ 5V

-

1.3W

表面贴装

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

8-SOIC N

带卷 (TR)

1662 (CN2011-ZH PDF)

SI4800BDY-T1-E3TR

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