IR国际整流器 IRF530NPBF原装 N沟道功率场效应管

标准包装：50

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏*至源*电压(Vdss)：100V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：17A

开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：90 毫欧 @ 9A，10V

Id 时的 Vgs(th)（*大）：4V @ 250µA

闸电荷(Qg) @ Vgs：37nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：920pF @ 25V

功率 - *大：70W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商设备封装：TO-220AB

包装：管件

其它名称：*IRF530NPBF

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