供应双列直插N沟道单通MOS场效应管IR2117 DIP-8

IR2117参数规格

极限参数

高边悬浮电源电压VB：-0.3~625V

高边悬浮电源参考电压Vs:VB-25V~VB 0.3V

高边悬浮输出电压VHO:VS-0.3V~VB 0.3V

逻辑输入部分工作电源电压VVc:-0.3V~25V

逻辑输入电压VIN：-0.3V~Vcc 0.3V

允许的参考电源电压上升率dVs/dt:50000V/us

功耗：SOIC封装的功耗为：0.625W;DIP封装的功耗为1W

允许最高工作结温Tj:150℃

存储温度Tstg:-55~150℃

焊接温度（焊接时间10S)TL:300℃

推荐工作参数：

高边悬浮电源电压绝对值VB：Vs 10V~Vs 20V

高边悬浮电源参考电压Vs:600V

高边悬浮输出电压VHO：Vs~VB

逻辑电源电压Vcc:10~20V

逻辑输入电压范围VIN：0~Vcc

工作环境温度TA：-40~125℃

产品最小包装为50PCS，采购时请以最小包装递增原则采购！

有需要三极管晶体成型、切脚、编带或需要其它规格IC的朋友

请与我联系：李先生刘

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