场效应管IR系列产品 IRF640 IRF640NPBF 20A 200V 原装进囗

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs输入电容 (Ciss) @ Vds功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装产品目录页面其它名称

IRF640N(S,L)PbF

TO-220-3, TO-220AB

IR Hexfet TO-220AB

50

分离式半导体产品

FET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

200V

18A

150 毫欧 @ 11A, 10V

4V @ 250µA

67nC @ 10V

1160pF @ 25V

150W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

1518 (CN2011-ZH PDF)

*IRF640NPBF

*经营二三*管场效应管可控硅整流桥 CYT电源管理经营品牌保征质量

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF640NPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道