产品详情

场效应管 FQD13N06TM 60V 10A

地区：广东 深圳
认证： 无

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FQD13N06TM特点

类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：140 毫欧 @ 5A, 10V
漏*至源*电压(Vdss)：60V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：10A
封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

FQD13N06TM

材料

IGBT*缘栅比*

用途

MW/微波

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型