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场效应 IRLR8715*RLPBF

地区：广东 深圳
认证： 无

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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：HEXFET®
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C：9.4 毫欧 @ 21A, 10V
漏*至源*电压(Vdss)：25V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C：51A
品牌

IR/国际整流器

型号

IRLR8715*RLPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

1（V）

夹断电压

1（V）

跨导

1（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

1（mA）

耗散功率

1（mW）