场效应管 FQD5P10TF 100V 3.6A

地区:广东 深圳
认证:

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FQD5P10TF特点

类别:分离式半导体产品
家庭:MOSFET,GaNFET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.05 欧姆 @ 1.8A, 10V
漏*至源*电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C:3.6A
封装外形

SMD(SO)/表面封装

型号/规格

FQD5P10TF

材料

P-FET硅P沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型