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供应场效应STP55NF06

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP55NF06

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-ARR/陈列组件

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

60（V）

夹断电压

60（V）

跨导

36-15（μS）

漏*电流

5000（mA）

耗散功率

11000（mW）