HAT2169H-EL-E 现货

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HAT2169H-EL-E

产品品牌:Renesas Electronics

产品分类:MOSFET,GaNFET - 单

产品描述:MOSFET N-CH 40V 50A LFPAK

*属性:Lead free / RoHS Compliant  

FET 型:FET 特点:开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25 C:漏*至源*电压(Vdss):电流 - 连续漏*(Id) @ 25 C:Id 时的 Vgs(th)(*大):闸电荷(Qg) @ Vgs:在 Vds 时的输入电容(Ciss) :功率 - *大:安装类型:封装/外壳:包装:
MOSFET N 通道,金属氧化物 
逻辑电平门 
3.5 毫欧 @ 25A, 10V 
40V 
50A 
2.5V @ 1mA 
45nC @
4.5V
 
6650pF @ 10V 
30W 
表面贴装 
SOT-669-5, SC-100, MO-235(4 引线 接片) 
带卷 (TR) 

品牌/型号

HIT日本日立/HAT2169H-EL-E

种类

*缘栅MOSFET

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

LLCC/无引线陶瓷片载

材料

GE-P-FET锗P沟道

开启电压

0(V)

夹断电压

0(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型