SI2301优势原装SI2301 台湾产现货热卖！品质！

主要参数

晶体管类型 ： P沟道MOSFET

最大功耗PD ： 1.25W

栅极门限电压VGS ： 2.5V（典型值）

漏源电压VDS ：－20V（极限值）

漏极电流ID：TA=25°时：-2.3A，TA=70°时：-1.5A

通态电阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）

栅极漏电流IGSS：±100nA

结温：55℃to+150℃

封装：SOT-23(TO-236)

     型号：SI2301

厂商：Creator台湾创达

类别：N渠道增强型场效应晶体管

描述：

Creator台湾创达品牌下的SI2300的安装方式是贴片式，封装形式为SOT-23，可用作电源管理、电池保护，负载开关等。量多价优，欢迎各位朋友们来电咨询合作！

负责人：贝伟桢先生