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产品属性
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MR CMOS单片结构
灵敏度高:国际收支=±22gauss,BRP =±19gauss
宽工作电源电压范围:3 ~ 30v
宽工作温度范围:40~125°C
高操作频率:5khz
内部:100kΩ上拉电
RoHS标准:2011/65 /EU
位置检测
接近检测
速度检测
mt6315内置磁电阻元件和CMOS单片集成开关。IC内部包含一个MR桥,为电源电压3.0V电压工作电压调节器,一个睡眠/唤醒逻辑时序控制,小信号放大器和Schmitt触发比较器与动态偏移取消,和一个开漏输出Ω内部100kΩ的上拉电阻当与磁铁结合时,它成为一个非接触开关,具有宽的工作电压范围,高灵敏度和可靠性。可以检测到平行于封装电极的水平磁场。由任意极性。
mt6315是理想的使用收集速度和检测位置,特别适合的应用需要精确的占空比或精确的边缘检测,如气缸中的位置检测。
磁性参数的定义
国际收支平衡:工作点,磁通密度,使输出驱动器上(VOUT =低)
BRP:释放点,磁通密度,使输出驱动器关闭(VOUT =高)
bhyst:迟滞窗口,| bop-brp |
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MT6315
霍尔
3 ~ 30v
40~125°C
5khz
100kΩ上拉电