供应IRFB4115PbFMOSFET N 通道

地区:上海 上海市
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IRFB4115PbF

产品相片

TO-220-3, TO-220AB

标准包装

50

类别

分离式半导体产品

家庭

FET -

系列

HEXFET?

FET

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 特点

标准

漏*源*电压(Vdss)

150V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

104A

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @25° C

11 毫欧 @62A10V

Id 时的 Vgs(th)(*大)

5V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs

120nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds

5270pF @ 50V

功率 - *大

380W

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

供应商设备封装

TO-220AB

包装

管件

产品目录页面

1518 (CN2011-ZH PDF)

品牌/型号

IRFB4115PbF

型号/规格

MOSFET N 通道

品牌/商标

IR

类型

*缘栅型场效应管/MOS场效应管

沟道类型

N型沟道

导电方式

增强型