4N60_4N60参数_美国IPS品牌_原装*找深圳华晶微电子

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一、概述:
种类元素半导体用途4N60  4A, 600V, RDS(on) = 2.3Ω@VGS= 10 VLow gate charge ( t*ical 25 nC)Low Crss ( t*ical 11 pF)Fast swi二、详细说明:4N60封装:TO-220 TO-251 TO-252

种类元素半导体用途4N60
品牌/商标

TRA美国晶体管

型号/规格

ISA04N60A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

场效应管

TO-220F