深圳华晶微场效应管ISA04N60A|4N60图片|价格|参数

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一、概述：种类元素半导体用途4N60 4A, 600V, RDS(on) = 2.3Ω@VGS= 10

二、详细说明：4N60封装：TO-220 TO-251 TO-252

品牌/商标

美国IPS

型号/规格

ISA04N60A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

P-DIT/塑料双列直插

材料

N-FET硅N沟道

场效应管

4.4A 600V