*IPS场效应管ITP04N60A_深圳市华晶微电子有限公司

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一、概述：种类元素半导体用途4N60  4A, 600V, RDS(on) = 2.3Ω@VGS= 10 VLow gate charge ( t*ical 25 nC)Low Crss ( t*ical 11 pF)Fast swi二、详细说明：