供应SUP75N08(图)

地区:广东 汕头
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品牌/商标

雷达

型号/规格

SUP75N08

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GaAS-FET砷化镓

开启电压

80(V)

夹断电压

120(V)

*间电容

12(pF)

低频噪声系数

10(dB)

漏*电流

75(mA)

耗散功率

120(mW)