品牌/商标 |
ST意法半导体 |
型号/规格 |
P6*80 |
种类 |
结型(JFET) |
沟道类型 |
N沟道 |
导电方式 |
耗尽型 |
用途 |
A/宽频带放大 |
封装外形 |
CER-DIP/陶瓷直插 |
材料 |
ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 |
800(V) |
夹断电压 |
1000(V) |
跨导 |
12(μS) |
*间电容 |
15(pF) |
低频噪声系数 |
20(dB) |
*大漏*电流 |
6(mA) |
*大耗散功率 |
200(mW) |
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