| 品牌/商标 |
ST意法半导体 |
型号/规格 |
P7NK80 |
| 种类 |
结型(JFET) |
沟道类型 |
N沟道 |
| 导电方式 |
耗尽型 |
用途 |
MOS-HBM/半桥组件 |
| 封装外形 |
CER-DIP/陶瓷直插 |
材料 |
N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 |
800（V） |
夹断电压 |
1000（V） |
| *间电容 |
12（pF） |
低频噪声系数 |
12（dB） |
| *大漏*电流 |
7（mA） |
*大耗散功率 |
120（mW） |
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