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2N60
N-T*e, 2A, 600V(650V)
Rds(on) ≤ 4.4Ω @Vgs=10V
Packaged T*e:TO-251,TO-252,TO-220,TO-220F,TO-263
瑞新原厂晶圆优势:8寸*晶圆裸片、WAFER平整、良率性高、*静电、产品能替代IR/ST/FAIRCHILD/等品牌
500V高压Mos晶圆:2N50,3N50,4N50,5N60,8N50
600V高压Mos晶圆:1N60,2N60,3N60,4N60,6N60,7N60
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"WAFER/裸芯片
2N65
N-FET硅N沟道
L/功率放大
Smc
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型