Mos2N65裸片晶圆

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2N60
N-T*e, 2A, 600V(650V)
Rds(on) ≤ 4.4Ω @Vgs=10V
Packaged T*e:TO-251,TO-252,TO-220,TO-220F,TO-263

  瑞新原厂晶圆优势:8寸*晶圆裸片、WAFER平整、良率性高、*静电、产品能替代IR/ST/FAIRCHILD/等品牌

 500V高压Mos晶圆:2N50,3N50,4N50,5N60,8N50
 600V高压Mos晶圆:1N60,2N60,3N60,4N60,6N60,7N60
 650V高压Mos晶圆:1N65,2N65,3N65,4N65,6N65,7N65

 本公司还推出新品Smc2153和Smc2153s*替换IR2153、IT2153

品质*,信誉*,欢迎惠顾
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服务:    程生

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封装外形

WAFER/裸芯片

型号/规格

2N65

材料

N-FET硅N沟道

用途

L/功率放大

品牌/商标

Smc

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型