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士兰微电子 佛山晶品
士兰微电子 佛山晶品
这种电流垂直流动的双扩散MOS器件是电压控制型器件。在合适的栅*电压的控制下,半导体表面反型,形成导电沟道,于是漏*和源*之间流过适量的电流
VDMOS兼有双*晶体管和普通MOS器件的优点。与双*晶体管相比,它的开关速度,开关损耗小;输入阻*高,驱动功率小;频率特性好;跨导高度线性。*值得指明出的是,它具有负的温度系数,没有双*功率的二次穿问题,*工作出了区大。因此,不论是开关应用还是线性应用,VDMOS都是理想的功率器件。
现在,VDMOS器件已广泛应用于各种领域,包括电机调速、逆变器、不间熠电源、开关电源、电子开关、高*音响、汽车电器和电子镇流器等。由于VDMOS的性能价格比已*比*功率器件,它在功率器件市声中的份额已达42%。并将继续上升。
关于士兰微电子:
专注于半导体集成电路设计与芯片制造产业,向客户提供高质量的集成电路和分立器件芯片产品
经过13年的发展,已经成为一家拥有芯片设计,制造相结合的综合型的集成电路企业,生产经营规模处于国内集成电路行业的前列
以IDM的模式开发高压高功率的*集成电路工艺已*特色。
未来方向:*减排(直流无刷,变频,LED……)
SMD(SO)/表面封装
SVF2N60
N-FET硅N沟道
DC/直流
SILAN/士兰微
N沟道
*缘栅(MOSFET)
增强型