深圳市三资半导体有限公司供应2N60|SSF2N60|场效应管2N60|2N60设计方案|2N60设计指导|2N60参数SSF2N60|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数，
地址：深圳市福田区中航路国利大厦13楼（1310）销售,
SSF2N60产品参数：
型号:SSF2N60 封装:TO-220
主要参数: 2A/600V，RDS(on)=4.7Ω（VGS=10V，ID=1.0A）
应用领域: *灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器
产品功能：功率MOS*—2N60 2A，600V N沟道
2N60功率MOS场效应管采用*的高压DMOS工艺技术。这种*工艺使器件具有优良的特性，如*快的开关速度，*低栅电荷，*小化的导通电阻以及*强的雪崩击穿特性。这种器件*适合于*开关电源， DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。
1、特征 · 2A，600V， RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V；
· *低栅电荷，典型9nC；
·*低反向转换电容；典型5pF · 快速开关能力；
· 增强的dV/di能力；
· 100%雪崩击穿测试；
· 封装型式：TO-220，TO-220F，TO-251，TO-252
· *大结温 150 ℃ 产品图片：
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